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      日本napsonμ非接觸μ-PCD法測(cè)量硅片磚壽命

      產(chǎn)品型號(hào): HF-300

      所屬分類:

      產(chǎn)品時(shí)間:2025-08-02

      簡(jiǎn)要描述:日本napsonμ非接觸μ-PCD法測(cè)量硅片磚壽命
      非接觸/無(wú)損壽命測(cè)量
      與單晶和多晶硅樣品兼容
      支持多點(diǎn)樣本測(cè)量和映射圖像顯示
      包含激情膠囊(用于威化餅)

      詳細(xì)說(shuō)明:

      日本napsonμ非接觸μ-PCD法測(cè)量硅片磚壽命

      產(chǎn)品特點(diǎn)

      • 非接觸/無(wú)損壽命測(cè)量
      • 與單晶和多晶硅樣品兼容
      • 支持多點(diǎn)樣本測(cè)量和映射圖像顯示
      • 包含激情膠囊(用于威化餅)

      測(cè)量規(guī)格

      測(cè)量目標(biāo)

      單晶/多晶硅晶片,磚(散裝)

      測(cè)量尺寸

      [晶片] <方形>
      ?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
      [磚]大210(寬)x 210(高)x 500(深)mm

      測(cè)量范圍

      0.1μS至1,000μS
      (要測(cè)量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm)

      <測(cè)量激光單元>類型:半導(dǎo)體激光二極管,
      波長(zhǎng):905 nm(對(duì)于晶片)/ 1,000 nm(對(duì)于磚),峰值功率:60 W,脈沖寬度:80 nS

       

      產(chǎn)品特點(diǎn)

      • 非接觸/無(wú)損壽命測(cè)量
      • 與單晶和多晶硅樣品兼容
      • 支持多點(diǎn)樣本測(cè)量和映射圖像顯示
      • 包含激情膠囊(用于威化餅)

      測(cè)量規(guī)格

      測(cè)量目標(biāo)

      單晶/多晶硅晶片,磚(散裝)

      測(cè)量尺寸

      [晶片] <方形>
      ?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
      [磚]大210(寬)x 210(高)x 500(深)mm

      測(cè)量范圍

      0.1μS至1,000μS
      (要測(cè)量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm)

      <測(cè)量激光單元>類型:半導(dǎo)體激光二極管,
      波長(zhǎng):905 nm(對(duì)于晶片)/ 1,000 nm(對(duì)于磚),峰值功率:60 W,脈沖寬度:80 nS

       



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